Ortsaufgelöste Bestimmung von Gitterverzerrungen in Silizium-Nanostrukturen mittels Elektronenrückstreubeugung
Hohe Anforderungen an die Leistungsfähigkeit, Integrationsdichte und Zuverlässigkeit halbleitertechnologischer Komponenten führen dazu, dass in zunehmendem Maße eine Beherrschung lokaler mechanischer Beanspruchungszustände erforderlich wird. Besondere Bedeutung kommt dabei der quantitativen Bestimmung ...