Cover-Bild Grundlagen der CMOS-Technologie
35,96
inkl. MwSt
  • Verlag: Vieweg & Teubner
  • Genre: keine Angabe / keine Angabe
  • Ersterscheinung: 05.10.2013
  • ISBN: 9783663079149
Thomas Giebel

Grundlagen der CMOS-Technologie

Es ist in den letzten Jahren zu beobachten, dass immer weniger Bücher zu den The men Halbleiterphysik, Halbleiterbauelemente und Fertigung integrierter Schaltungen im deutschsprachigen Raum erscheinen. Dabei ist gerade in Deutschland ein überproportiona les Wachstum der Halbleiter-Industrie (s. z.B. Dortmund, Dresden und Frankfurt 0.) und damit ein zunehmender Fachkräftemangel zu bemerken. Englisch ist in diesem Bereich die Umgangssprache, aber englische bzw. US-amerikanische Bücher sind meist nur schwer zu beschaffen oder entsprechend teuer. Darüberhinaus haben deutsche Studierende mit den fachlichen Herausforderungen genug zu tun und haben leider z.T. erhebliche Schwierigkeiten mit englischsprachiger Fachliteratur. Dieses Lehrbuch richtet sich an Studierende an Universitäten und Fachhochschulen im Haupt- oder Vertiefungsstudium, die einen Einstieg in die Technologie der integrierten CMOS-Schaltungen suchen oder entsprechendes Hintergrundwissen benötigen. Dabei soll eine Lücke zwischen Büchern zur Halbleiterphysik bzw. zu Halbleiterbauelementen einer seits und solchen zur Fertigung integrierter Schaltungen andererseits geschlossen werden. Der Stoff wird an Hand von zahlreichen Abbildungen illustriert und wann immer möglich mit ausführlichen durchgerechneten Beispielen erläutert. Aber auch Prozessingenieure aus der Halbleiterfertigung oder Schaltungsentwickler finden hier Zusammenhänge mit und aus dem jeweils anderen Bereich, so dass das Verständnis und die Zusammenarbeit für- und miteinander verbessert werden kann: Jahrelange Erfahrung aus der industriellen Praxis zeigt, dass Entwicklung und Fertigung meist sehr isoliert vonein ander betrachtet werden. Die Entwurfsunterlagen (Designregeln und Simulationsparameter; s. Kapitel 10) bilden häufigdie einzige Schnittstelle zwischen den beiden Bereichen und das ist zu wenig, um in komplexen Schaltungen alle kritischen Randbedingungen zu erfassen.

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